最新行業(yè)資訊-氮化合物介紹：立方氮化硼和氮化鎵晶體具有廣泛的應(yīng)用前景，立方氮化硼具有高穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率、高硬度以及寬帶隙等一系列優(yōu)異的性能，使得它在高溫大功率半導(dǎo)體器件研制、短波長(zhǎng)和紫外光電子器件制備、熱沉材料、切削和磨削材料、耐高溫耐磨防護(hù)涂層、高通透高穩(wěn)定性窗口研制等方面具有廣闊的應(yīng)用前景，六方氮化硼是一種耐高溫、耐腐蝕、高導(dǎo)熱率、高絕緣性以及潤(rùn)滑性能優(yōu)良的材料，被廣泛地應(yīng)用于石油、化工、機(jī)械、電子、電力、紡織、核工業(yè)、航天等部門。 氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它是研制藍(lán)綠發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LD)的理想材料。這類光電子器件在高密度光信息存儲(chǔ)、高速激光打印、全色動(dòng)態(tài)高亮度光顯示、固體照明、高速光通訊等方面有著廣闊的應(yīng)用前景和巨大的市場(chǎng)需求。氮化鎵體塊晶體材料則是研制這類光電子器件的首選襯底材料，它將可以大幅度提高氮化鎵系列光電子器件的性能。因此，探索氮化鎵晶體的生長(zhǎng)方法，獲得氮化鎵體塊晶體的研究工作具有重要的基礎(chǔ)研究和實(shí)用應(yīng)用價(jià)值。
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